FZ2400R17HP4B28BOSA2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FZ2400R17HP4B28BOSA2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FZ2400R17HP4B28BOSA2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FZ2400R17HP4B28BOSA2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FZ2400R17HP4B28BOSA2
- رقم القطعة:
- FZ2400R17HP4B28BOSA2
- وصف:
- MODULE IGBT IHMB190-1
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32434 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FZ2400R17HP4B28BOSA2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1700V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.25V @ 15V, 2400A |
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 15500W |
| حزمة / كيس: | Module |
| اسماء اخرى: | FZ2400R17HP4_B28 SP000986908 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| NTC الثرمستور: | No |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 34 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS Compliant |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 195nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Single Switch 1700V 4800A 15500W Chassis Mount Module |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 5mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 4800A |
| ترتيب: | Single Switch |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFZ2400R17HP4B28BOSA2
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار