FXTH870902DT1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FXTH870902DT1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FXTH870902DT1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FXTH870902DT1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FXTH870902DT1
- رقم القطعة:
- FXTH870902DT1
- وصف:
- IC SENSOR MULTICHIP Z-AXIS 24QFN
- حالة خالية من الرصاص:
- خالية من الرصاص / بنفايات المتوافقة مع الإعفاء
- كمية المخزون:
- 27966 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FXTH870902DT1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | - |
| نوع الاستشعار: | Tire Pressure Monitoring (TPMS) |
| نوع المخرجات: | RF |
| اسماء اخرى: | FXTH870902DT1DKR |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS compliant by exemption |
| وصف تفصيلي: | Tire Pressure Monitoring (TPMS) Sensor RF Output |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFXTH870902DT1
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM