FVT02506E25K00JE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FVT02506E25K00JE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FVT02506E25K00JE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FVT02506E25K00JE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FVT02506E25K00JE
- رقم القطعة:
- FVT02506E25K00JE
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES CHAS MNT 25K OHM 5% 25W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32620 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FVT02506E25K00JE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±260ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.563" Dia x 2.000" L (14.30mm x 50.80mm) |
| سلسلة: | FVT |
| وضع لوحة: | 25 kOhms |
| السلطة (واتس): | 25W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Tubular |
| اسماء اخرى: | FVT-25-25K FVT02506E25K00JE-ND FVT25-25.0K FVT2525K5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 350°C |
| تصاعد ميزة: | Brackets (not included) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| قيادي نمط: | Solder Lugs |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 25 kOhms ±5% 25W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Vitreous Enamel Coated |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFVT02506E25K00JE
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي