FTCO3V455A1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FTCO3V455A1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FTCO3V455A1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FTCO3V455A1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FTCO3V455A1
- رقم القطعة:
- FTCO3V455A1
- وصف:
- MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24941 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FTCO3V455A1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | SPM® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.66 mOhm @ 80A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 115W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 19-PowerDIP Module |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 150A 115W Through Hole Module |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 150A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFTCO3V455A1
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي