FR803 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FR803، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FR803 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FR803 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FR803
- رقم القطعة:
- FR803
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO220A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39180 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FR803.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.3V @ 8A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220a |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 150ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220a |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFR803
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FR804 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 400V 8A TO220A | تحقيق |
 |
FR85B05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR805 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220A | تحقيق |
|
FR85D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 85A DO5 | تحقيق |
 |
FR85JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85D02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR801 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 8A TO220A | تحقيق |
|
FR85GR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85BR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85DR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR802 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 8A TO220A | تحقيق |
|
FR85G05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 85A DO5 | تحقيق |
 |
FR85JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 | تحقيق |
 |
FR85GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5 | تحقيق |
 |
FR85G02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85DR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85J02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85B02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 85A DO5 | تحقيق |
|
FR85J05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة