FR70DR05 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FR70DR05، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FR70DR05 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FR70DR05 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FR70DR05
- رقم القطعة:
- FR70DR05
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 21730 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.FR70DR05.pdf2.FR70DR05.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.4V @ 70A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-5 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 500ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| اسماء اخرى: | FR70DR05GN |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard, Reverse Polarity |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard, Reverse Polarity 200V 70A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 25µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 70A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFR70DR05
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FR70KR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 800V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70DR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70BR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70J02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70MR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70D02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 | تحقيق |
 |
QRS1460T30 | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 391A MODULE | تحقيق |
|
FR70GR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70J05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70K05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 70A DO5 | تحقيق |
 |
FR70G02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70B05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70B02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70M05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 | تحقيق |
 |
FR70GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5 | تحقيق |
|
FR70G05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 70A DO5 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل