FR6J-TP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FR6J-TP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FR6J-TP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FR6J-TP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FR6J-TP
- رقم القطعة:
- FR6J-TP
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 6A DO214AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22373 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FR6J-TP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.3V @ 6A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AB (HSMC) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 250ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AB, SMC |
| اسماء اخرى: | FR6J-TPMSTR FR6JTP |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount DO-214AB (HSMC) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | FR6J |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFR6J-TP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FR6G05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 | تحقيق |
|
FR6KR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6JR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6J05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6DR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6GR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6B02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6B05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 | تحقيق |
|
FR6D05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 | تحقيق |
|
FR6DR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 | تحقيق |
|
FR6BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6MR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6G02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6J02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6JR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6K05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6GR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 | تحقيق |
|
FR6BR05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 | تحقيق |
|
FR6D02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 | تحقيق |
|
FR6M05 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل