FP35R12KT4B11BOSA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FP35R12KT4B11BOSA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FP35R12KT4B11BOSA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FP35R12KT4B11BOSA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FP35R12KT4B11BOSA1
- رقم القطعة:
- FP35R12KT4B11BOSA1
- وصف:
- IGBT MODULE VCES 1200V 35A
- كمية المخزون:
- 36129 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FP35R12KT4B11BOSA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.15V @ 15V, 35A |
| تجار الأجهزة حزمة: | Module |
| سلسلة: | - |
| السلطة - ماكس: | 210W |
| حزمة / كيس: | Module |
| اسماء اخرى: | FP35R12KT4_B11 FP35R12KT4_B11-ND SP000372921 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C |
| NTC الثرمستور: | Yes |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 48 Weeks |
| إدخال السعة (تجمعهم) @ VCE: | 2nF @ 25V |
| إدخال: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| وصف تفصيلي: | IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 35A 210W Chassis Mount Module |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 1mA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 35A |
| ترتيب: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFP35R12KT4B11BOSA1
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار