FNPYR0200B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FNPYR0200B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FNPYR0200B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FNPYR0200B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FNPYR0200B
- رقم القطعة:
- FNPYR0200B
- الصانع:
- Vishay Precision Group
- وصف:
- RES SHUNT 0.02 OHM 0.1% 500W
- كمية المخزون:
- 34456 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FNPYR0200B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Shunt, Battery |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±2.5ppm/°C |
| سلسلة: | FNP |
| وضع لوحة: | 20 mOhms |
| السلطة (واتس): | 500W |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| وصف تفصيلي: | 20 mOhms ±0.1% 500W Shunt, Battery Specialized Resistor Metal Foil ±2.5ppm/°C Chassis Mount |
| تركيب: | Metal Foil |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFNPYR0200B
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل