FGH12040WD-F155 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FGH12040WD-F155، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FGH12040WD-F155 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FGH12040WD-F155 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FGH12040WD-F155
- رقم القطعة:
- FGH12040WD-F155
- وصف:
- 1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41732 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FGH12040WD-F155.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.9V @ 15V, 40A |
| اختبار حالة: | 600V, 40A, 23 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 45ns/560ns |
| تحويل الطاقة: | 4.1mJ (on), 1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 Long Leads |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 71ns |
| السلطة - ماكس: | 428W |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | FGH12040WD-F155-ND FGH12040WD-F155OS FGH12040WD_F155 FGH12040WD_F155-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 44 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 226nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 428W Through Hole TO-247 Long Leads |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 100A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 80A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFGH12040WD-F155
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC