FGB5N60UNDF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FGB5N60UNDF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FGB5N60UNDF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FGB5N60UNDF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FGB5N60UNDF
- رقم القطعة:
- FGB5N60UNDF
- وصف:
- IGBT 600V 10A 73.5W D2PAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40809 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FGB5N60UNDF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.4V @ 15V, 5A |
| اختبار حالة: | 400V, 5A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 5.4ns/25.4ns |
| تحويل الطاقة: | 80µJ (on), 70µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263AB (D²PAK) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 35ns |
| السلطة - ماكس: | 73.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 12.1nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT NPT 600V 10A 73.5W Surface Mount TO-263AB (D²PAK) |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 15A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 10A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFGB5N60UNDF
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي