FG18X7R1H474KRT06 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FG18X7R1H474KRT06، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FG18X7R1H474KRT06 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FG18X7R1H474KRT06 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FG18X7R1H474KRT06
- رقم القطعة:
- FG18X7R1H474KRT06
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- CAP CER 0.47UF 50V X7R RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52432 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.FG18X7R1H474KRT06.pdf2.FG18X7R1H474KRT06.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - تقييمه: | 50V |
| تسامح: | 0.47µF |
| سمك (ماكس): | X7R |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.098" (2.50mm) |
| حجم / البعد: | 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm) |
| سلسلة: | FG |
| بنفايات الحالة: | Tape & Box (TB) |
| تموج الحالي - التردد المنخفض: | General Purpose |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Radial |
| اسماء اخرى: | 445-173276 445-173276-3 445-173276-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 1 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FG18X7R1H474KRT06 |
| قيادي نمط: | - |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.217" (5.50mm) |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | Formed Leads |
| وصف موسع: | 0.47µF ±10% 50V Ceramic Capacitor X7R Radial |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±10% |
| وصف: | CAP CER 0.47UF 50V X7R RADIAL |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFG18X7R1H474KRT06
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل