FDMJ1027P متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FDMJ1027P، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FDMJ1027P عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FDMJ1027P مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FDMJ1027P
- رقم القطعة:
- FDMJ1027P
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 3.2A
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23692 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FDMJ1027P.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-MicroFET (2x2) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-VDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | P-Channel 20V 3.2A (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDMJ1027P
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي