FDME1024NZT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FDME1024NZT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FDME1024NZT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FDME1024NZT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FDME1024NZT
- رقم القطعة:
- FDME1024NZT
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46038 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FDME1024NZT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 600mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | FDME1024NZTCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 39 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 300pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.8A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDME1024NZT
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار