FDD13AN06A0_F085 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FDD13AN06A0_F085، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FDD13AN06A0_F085 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FDD13AN06A0_F085 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FDD13AN06A0_F085
- رقم القطعة:
- FDD13AN06A0_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57521 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FDD13AN06A0_F085.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 1350pF @ 25V |
| الجهد - انهيار: | TO-252AA |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | FDD13AN06A0_F085 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 29nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4V @ 250µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60V |
| نسبة السعة: | 115W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDD13AN06A0_F085
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS