FC0805E1000BBT0 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FC0805E1000BBT0، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FC0805E1000BBT0 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FC0805E1000BBT0 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FC0805E1000BBT0
- رقم القطعة:
- FC0805E1000BBT0
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- RES SMD 100 OHM 0.1% 1/5W 0805
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 40395 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FC0805E1000BBT0.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±0.1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±25ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0805 |
| حجم / البعد: | 0.080" L x 0.050" W (2.03mm x 1.27mm) |
| سلسلة: | FC |
| وضع لوحة: | 100 Ohms |
| السلطة (واتس): | 0.2W, 1/5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0805 (2012 Metric) |
| اسماء اخرى: | Q4918127 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 155°C |
| عدد الإنهاء: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.033" (0.84mm) |
| الميزات: | RF, High Frequency |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 100 Ohms ±0.1% 0.2W, 1/5W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) RF, High Frequency Thin Film |
| تركيب: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFC0805E1000BBT0
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي