FAN7171MX-F085 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FAN7171MX-F085، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FAN7171MX-F085 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FAN7171MX-F085 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FAN7171MX-F085
- رقم القطعة:
- FAN7171MX-F085
- وصف:
- IC GATE DVR HIGH SIDE 8-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59191 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- FAN7171MX-F085.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 10 V ~ 20 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q100 |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 25ns, 15ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | FAN7171MX-F085TR FAN7171MX_F085 FAN7171MX_F085FSTR FAN7171MX_F085FSTR-ND FAN7171MX_F085P FAN7171MXF085 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 39 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.5V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 600V |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | High-Side |
| وصف تفصيلي: | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 4A, 4A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Single |
| رقم جزء القاعدة: | FAN7171 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFAN7171MX-F085
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة