FA-238V 14.31818MB-G0 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل FA-238V 14.31818MB-G0، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل FA-238V 14.31818MB-G0 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء FA-238V 14.31818MB-G0 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
FA-238V 14.31818MB-G0
- رقم القطعة:
- FA-238V 14.31818MB-G0
- الصانع:
- Epson
- وصف:
- CRYSTAL 14.31818 MHZ 20.0PF SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43436 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.FA-238V 14.31818MB-G0.pdf2.FA-238V 14.31818MB-G0.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | MHz Crystal |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| سلسلة: | FA-238V |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-SMD, No Lead |
| اسماء اخرى: | FA-238V 14.31818MB-G0-ND FA-238V14.31818MB-G0 Q22FA23V00037 |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 70°C |
| وضع التشغيل: | Fundamental |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| تحميل السعة: | 20pF |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.028" (0.70mm) |
| التسامح تردد: | ±50ppm |
| تردد الاستقرار: | ±30ppm |
| تردد: | 14.31818MHz |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 80 Ohms |
| وصف تفصيلي: | 14.31818MHz ±50ppm Crystal 20pF 80 Ohms 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFA-238V 14.31818MB-G0
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار