F951D475MSAAQ2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل F951D475MSAAQ2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل F951D475MSAAQ2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء F951D475MSAAQ2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
F951D475MSAAQ2
- رقم القطعة:
- F951D475MSAAQ2
- الصانع:
- Nichicon
- وصف:
- CAP TANT 4.7UF 20V 20% 1206
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 29772 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- F951D475MSAAQ2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| الجهد - تقييمه: | 20V |
| اكتب: | Conformal Coated |
| تسامح: | 4.7µF |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | S |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | F95, Frameless™ |
| بنفايات الحالة: | Cut Tape (CT) |
| الاستقطاب: | 1206 (3216 Metric) |
| اسماء اخرى: | 493-2954-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | F951D475MSAAQ2 |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 4 Ohm |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.047" (1.20mm) |
| الميزات: | General Purpose |
| وصف موسع: | 4.7µF ±20% Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 1206 (3216 Metric) 4 Ohm |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| وصف: | CAP TANT 4.7UF 20V 20% 1206 |
| التطبيقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لF951D475MSAAQ2
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي