F320BJHEPTTL90 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل F320BJHEPTTL90، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل F320BJHEPTTL90 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء F320BJHEPTTL90 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
F320BJHEPTTL90
- رقم القطعة:
- F320BJHEPTTL90
- الصانع:
- Sharp Microelectronics
- وصف:
- IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 57691 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- F320BJHEPTTL90.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 90ns |
| الجهد - توريد: | - |
| تكنولوجيا: | FLASH - Boot Block |
| تجار الأجهزة حزمة: | 48-TSOP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
| اسماء اخرى: | 425-1826 LH28F320BJHE-PTTL90 LHF32J04 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | FLASH |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | FLASH - Boot Block Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 90ns 48-TSOP |
| وقت الدخول: | 90ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لF320BJHEPTTL90
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
F320G157MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 150UF 4V 1411 | تحقيق |
 |
F320G476MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 47UF 4V 1206 | تحقيق |
 |
F320G337MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 330UF 4V 2312 | تحقيق |
 |
F321A226MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 22UF 10V 1206 | تحقيق |
 |
F320J107MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 100UF 6.3V 1411 | تحقيق |
|
F321A157MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 150UF 10V 2312 | تحقيق |
 |
F32K-327SJ4I | IDT (Integrated Device Technology) | OSCILLATOR | تحقيق |
|
F32K-327SJ4X | IDT (Integrated Device Technology) | OSCILLATOR | تحقيق |
 |
F320G107MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 100UF 4V 1411 | تحقيق |
 |
F320J686MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 68UF 6.3V 1411 | تحقيق |
 |
F320BJHEPTTL60 | Sharp Microelectronics | IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP | تحقيق |
|
F321A107MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 100UF 10V 2312 | تحقيق |
 |
F320G686MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 68UF 4V 1206 | تحقيق |
|
F321A476MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 47UF 10V 1411 | تحقيق |
 |
F320J476MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 47UF 6.3V 1206 | تحقيق |
|
F320J157MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 150UF 6.3V 2312 | تحقيق |
|
F320G227MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 220UF 4V 2312 | تحقيق |
|
F321A336MAA | Nichicon | CAP TANT POLY 33UF 10V 1206 | تحقيق |
|
F320E227MBA | Nichicon | CAP TANT POLY 220UF 2.5V 1411 | تحقيق |
|
F320E337MCC | Nichicon | CAP TANT POLY 330UF 2.5V 2312 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل