ETQ-P6F1R8BFA متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ETQ-P6F1R8BFA، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ETQ-P6F1R8BFA عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ETQ-P6F1R8BFA مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ETQ-P6F1R8BFA
- رقم القطعة:
- ETQ-P6F1R8BFA
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- FIXED IND 1.71UH 14A 3.3 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32019 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ETQ-P6F1R8BFA.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | PCC-D126F (N6B) |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 2-SMD, J-Lead |
| اسماء اخرى: | *ETQ-P6F1R8BFA *ETQP6F1R8BFA PCD1395CT |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 1.71µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.224" (5.70mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 1.71µH Shielded Inductor 14A 3.3 mOhm Max 2-SMD, J-Lead |
| DC المقاومة (DCR): | 3.3 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 14A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لETQ-P6F1R8BFA
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ETQ-P6F2R9LFA | Panasonic | FIXED IND 2.9UH 9.3A 6.48 MOHM | تحقيق |
 |
ETQ-P6F3R5SFA | Panasonic | FIXED IND 3.5UH 9.3A 6.48 MOHM | تحقيق |
 |
ETQ-P5MR68YLC | Panasonic | FIXED IND 680NH 31.5A 1.93 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F2R5SFA | Panasonic | FIXED IND 2.5UH 10.8A 4.92 MOHM | تحقيق |
 |
ETQ-P6F3R4BFA | Panasonic | FIXED IND 3.32UH 10A 6.48 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F4R1LFA | Panasonic | FIXED IND 4.1UH 7.9A 8.64 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F1R6SFA | Panasonic | FIXED IND 1.6UH 12.5A 3.3 MOHM | تحقيق |
 |
ETQ-P6F4R6HFA | Panasonic | FIXED IND 4.6UH 9.3A 6.48 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F3R2HFA | Panasonic | FIXED IND 3.2UH 10.8A 4.92 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F102HFA | Panasonic | FIXED IND 10.2UH 6.5A 13.3 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F0R6BFA | Panasonic | FIXED IND 580NH 19A 1.44 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F1R1BFA | Panasonic | FIXED IND 1.06UH 16A 2.24 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F2R0LFA | Panasonic | FIXED IND 2UH 10.8A 4.92 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F1R0SFA | Panasonic | FIXED IND 1UH 14.2A 2.24 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P5MR33YLC | Panasonic | POWER CHOKE COIL PCC MC | تحقيق |
|
ETQ-P6F2R5BFA | Panasonic | FIXED IND 2.45UH 12A 4.92 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F1R3LFA | Panasonic | FIXED IND 1.3UH 12.5A 3.3 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F1R2HFA | Panasonic | FIXED IND 1.2UH 14.2A 2.24 MOHM | تحقيق |
|
ETQ-P6F2R0HFA | Panasonic | FIXED IND 2UH 12.5A 3.3 MOHM SMD | تحقيق |
|
ETQ-P6F0R8LFA | Panasonic | FIXED IND 800NH 14.2A 2.24 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل