ES2DHE3_A/I متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ES2DHE3_A/I، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ES2DHE3_A/I عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ES2DHE3_A/I مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ES2DHE3_A/I
- رقم القطعة:
- ES2DHE3_A/I
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39976 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ES2DHE3_A/I.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 900mV @ 2A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 200V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AA (SMB) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 20ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AA, SMB |
| اسماء اخرى: | ES2DHE3_A/I-ND ES2DHE3_A/IGITR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 53 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 200V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 10µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لES2DHE3_A/I
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار