EPC8004ENGR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EPC8004ENGR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EPC8004ENGR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EPC8004ENGR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EPC8004ENGR
- رقم القطعة:
- EPC8004ENGR
- الصانع:
- EPC
- وصف:
- TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54859 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.EPC8004ENGR.pdf2.EPC8004ENGR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 45pF @ 20V |
| الجهد - انهيار: | Die |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 125 mOhm @ 500mA, 5V |
| تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| سلسلة: | eGaN® |
| بنفايات الحالة: | Tray |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.4A (Ta) |
| الاستقطاب: | Die |
| اسماء اخرى: | 917-EPC8004ENGR EPC8004ENGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | EPC8004ENGR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 0.36nC @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.5V @ 250µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 4.4A (Ta) Surface Mount Die |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 40V |
| نسبة السعة: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEPC8004ENGR
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU