EMVY6R3GDA822MMN0S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EMVY6R3GDA822MMN0S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EMVY6R3GDA822MMN0S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EMVY6R3GDA822MMN0S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EMVY6R3GDA822MMN0S
- رقم القطعة:
- EMVY6R3GDA822MMN0S
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM 8200UF 20% 6.3V SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25166 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EMVY6R3GDA822MMN0S.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | 0.748" L x 0.748" W (19.00mm x 19.00mm) |
| حجم / البعد: | 0.709" Dia (18.00mm) |
| سلسلة: | Alchip™- MVY |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 1.4875A @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 1.75A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can - SMD |
| اسماء اخرى: | 565-2425-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 5000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 38 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.846" (21.50mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 8200µF 6.3V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 8200µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEMVY6R3GDA822MMN0S
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC