EKZH6R3ETD122MJC5S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EKZH6R3ETD122MJC5S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EKZH6R3ETD122MJC5S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EKZH6R3ETD122MJC5S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EKZH6R3ETD122MJC5S
- رقم القطعة:
- EKZH6R3ETD122MJC5S
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM 1200UF 20% 6.3V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27545 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EKZH6R3ETD122MJC5S.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| سلسلة: | KZH |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 744mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 1.24A @ 100kHz |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| اسماء اخرى: | 565-3627 565-3627-1 565-3627-1-ND 565-3627-3 EKZH6R3ETD122MJC5S-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 6000 Hrs @ 105°C |
| تباعد الرصاص: | 0.197" (5.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 45 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.551" (14.00mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 1200µF 6.3V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C |
| مواسعة: | 1200µF |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEKZH6R3ETD122MJC5S
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC