EGXL250ETD331MJ16S متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EGXL250ETD331MJ16S، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EGXL250ETD331MJ16S عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EGXL250ETD331MJ16S مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EGXL250ETD331MJ16S
- رقم القطعة:
- EGXL250ETD331MJ16S
- الصانع:
- Nippon Chemi-Con
- وصف:
- CAP ALUM 330UF 20% 25V RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 42068 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EGXL250ETD331MJ16S.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - تقييمه: | 25V |
| تسامح: | ±20% |
| السطح حجم جبل لاند: | - |
| حجم / البعد: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| سلسلة: | GXL |
| تموج الحالي @ منخفض التردد: | 525mA @ 120Hz |
| تموج الحالي @ عالية التردد: | 1.05A @ 100kHz |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| الاستقطاب: | Polar |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | Radial, Can |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| عمر @ درجة الحرارة.: | 5000 Hrs @ 125°C |
| تباعد الرصاص: | 0.197" (5.00mm) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة: | 120 mOhms |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.689" (17.50mm) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | - |
| وصف تفصيلي: | 330µF 25V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C |
| مواسعة: | 330µF |
| التطبيقات: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEGXL250ETD331MJ16S
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة