EFC3J018NUZTDG متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EFC3J018NUZTDG، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EFC3J018NUZTDG عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EFC3J018NUZTDG مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
EFC3J018NUZTDG
- رقم القطعة:
- EFC3J018NUZTDG
- وصف:
- NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 32071 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- EFC3J018NUZTDG.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.3V @ 1mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-WLCSP (1.77x3.05) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.7 mOhm @ 5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 2.5W (Ta) |
| حزمة / كيس: | 6-XFBGA, WLCSP |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 21 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 75nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1.77x3.05) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEFC3J018NUZTDG
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC