العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > الدوائر المتكاملة (إكس) > ذاكرة > EDBA164B2PF-1D-F-D
EDBA164B2PF-1D-F-D
رقم القطعة:
EDBA164B2PF-1D-F-D
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
25088 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
EDBA164B2PF-1D-F-D.pdf
تحقيق

المقدمة

EDBA164B2PF-1D-F-D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل EDBA164B2PF-1D-F-D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل EDBA164B2PF-1D-F-D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء EDBA164B2PF-1D-F-D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:-
الجهد - توريد:1.14 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا:SDRAM - Mobile LPDDR2
سلسلة:-
التعبئة والتغليف:Tray
درجة حرارة التشغيل:-30°C ~ 85°C (TC)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Volatile
حجم الذاكرة:16Gb (256M x 64)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 16Gb (256M x 64) Parallel 533MHz
تردد على مدار الساعة:533MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لEDBA164B2PF-1D-F-D

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EDB8164B4PT-1DAT-F-R Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDBA232B2PB-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDBA232B2PF-1D-F-R TR Image EDBA232B2PF-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA تحقيق
EDB8164B4PT-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA تحقيق
EDBA164B2PR-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA تحقيق
EDB8164B4PT-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDB8164B4PR-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDB8164B4PK-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA تحقيق
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA تحقيق
EDB8164B4PR-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA تحقيق
EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDBA164B2PF-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDBA232B2PF-1D-F-D Image EDBA232B2PF-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 168FBGA تحقيق
EDBM432B3PB-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA تحقيق
EDBA164B2PR-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA تحقيق
EDBA232B2PB-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDBA232B2PD-1D-F-R TR Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ تحقيق
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA تحقيق
EDB8164B4PT-1DIT-F-D Micron Technology IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA تحقيق
EDBA232B2PD-1D-F-D Micron Technology IC DRAM 16G PARALLEL 533MHZ تحقيق

Latest الأخبار