ECH8619-TL-E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ECH8619-TL-E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ECH8619-TL-E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ECH8619-TL-E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ECH8619-TL-E
- رقم القطعة:
- ECH8619-TL-E
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 47016 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ECH8619-TL-E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-ECH |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 93 mOhm @ 1.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى: | 869-1156-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 560pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 2A 1.5W Surface Mount 8-ECH |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A, 2A |
| رقم جزء القاعدة: | ECH8619 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لECH8619-TL-E
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي