DTD114ECT116
DTD114ECT116
رقم القطعة:
DTD114ECT116
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
37157 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
1.DTD114ECT116.pdf2.DTD114ECT116.pdf

المقدمة

DTD114ECT116 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DTD114ECT116، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DTD114ECT116 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DTD114ECT116 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 2.5mA, 50mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SST3
سلسلة:-
المقاوم - قاعدة باعث (R2):10 kOhms
المقاوم - قاعدة (R1):10 kOhms
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:DTD114ECT116DKR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
تردد - تحول:200MHz
وصف تفصيلي:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:56 @ 50mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):500mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات