DSK10E متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSK10E، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSK10E عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSK10E مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSK10E
- رقم القطعة:
- DSK10E
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45954 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSK10E.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1A |
| الجهد - انهيار: | - |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | R-1 (Axial) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSK10E |
| وصف موسع: | Diode Standard 400V 1A Through Hole |
| تكوين الصمام الثنائي: | 10µA @ 400V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.1V @ 1A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 400V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSK10E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSK-3R3H204T614-H2L | Elna America | CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
 |
DSK10C | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10E-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK10C-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK10B-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK-3R3H703T414-HLL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10B-BT | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DSK5J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | تحقيق |
|
DSK-3R3H224U-HL | Elna America | CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10E-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
SCSF0 | Semtech Corporation | DIODE RECT 1KV 120A STD ASSY | تحقيق |
|
DSK10C-ET1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK-3R3H334T-HL | Elna America | CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10E-AT1 | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
 |
DGP20HE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 1.5KV 2A DO204AC | تحقيق |
|
DSK-3R3H703T414-HRL | Elna America | CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD | تحقيق |
|
DSK10B | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSK5J01Q0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B | تحقيق |
 |
DSK9J01P0L | Panasonic | JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS