DSEI8-06A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSEI8-06A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSEI8-06A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSEI8-06A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSEI8-06A
- رقم القطعة:
- DSEI8-06A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55092 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSEI8-06A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.5V @ 8A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AC |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | FRED |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| اسماء اخرى: | 434353 DSEI806A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220AC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 20µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | DSEI8-06 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI8-06A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI8-06AS-TUBE | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | تحقيق |
|
DSEI36-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
|
DSEI36-06AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
 |
DSEK60-02AR | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 200V 34A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
DSEP12-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC | تحقيق |
 |
DSEI60-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 52A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI60-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | تحقيق |
 |
DSEK60-02A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 34A TO247AD | تحقيق |
|
DSEK60-06A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP12-12B | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP15-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI60-02A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 200V 69A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI30-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI8-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE ARRAY | تحقيق |
|
DSEI8-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | تحقيق |
|
DSEK60-12A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 26A TO247AD | تحقيق |
 |
DSEI30-10AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEI60-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI30-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة