DSEI2X61-06C متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSEI2X61-06C، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSEI2X61-06C عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSEI2X61-06C مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSEI2X61-06C
- رقم القطعة:
- DSEI2X61-06C
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE MODULE 600V 60A SOT227B
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 40679 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSEI2X61-06C.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 60A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227B |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | FRED |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| اسماء اخرى: | DSEI2X6106C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2 Independent |
| وصف تفصيلي: | Diode Array 2 Independent Standard 600V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 600V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 60A |
| رقم جزء القاعدة: | DSEI2X |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI2X61-06C
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI36-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
 |
DSEI2X31-06C | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 30A SOT227B | تحقيق |
 |
DSEI2X61-10P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 60A ECO-PAC1 | تحقيق |
|
DSEI2X61-10B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 60A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI2X31-12B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI2X31-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 28A ECO-PAC1 | تحقيق |
|
DSEI2X61-12B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 52A SOT227B | تحقيق |
 |
DSEI2X61-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 60A ECO-PAC1 | تحقيق |
|
DSEI2X61-12P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 52A ECO-PAC1 | تحقيق |
 |
DSEI30-10AR | IXYS Corporation | DIODE GP 1KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
DSEI2X31-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 30A ECO-PAC1 | تحقيق |
|
DSEI2X61-04C | IXYS Corporation | DIODE MODULE 400V 60A SOT227B | تحقيق |
 |
DSEI30-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI30-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI30-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI2X31-10B | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 30A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI2X61-02P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 71A ECO-PAC1 | تحقيق |
|
DSEI2X61-02A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 200V 71A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI2X31-04C | IXYS Corporation | DIODE MODULE 400V 30A SOT227B | تحقيق |
|
DSEI2X31-10P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 1KV 30A ECO-PAC1 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل