DSB0.2A40 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DSB0.2A40، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DSB0.2A40 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DSB0.2A40 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DSB0.2A40
- رقم القطعة:
- DSB0.2A40
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO35
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 20240 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DSB0.2A40.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Schottky |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 200mA |
| الجهد - انهيار: | DO-35 |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| المقاومة @ إذا، F: | 50pF @ 0V, 1MHz |
| الاستقطاب: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DSB0.2A40 |
| وصف موسع: | Diode Schottky 20V 200mA Through Hole DO-35 |
| تكوين الصمام الثنائي: | 5µA @ 40V |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO35 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 510mV @ 200mA |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 20V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -65°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSB0.2A40
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSB0.2A20 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA DO35 | تحقيق |
 |
DSB10I45PM | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220FP | تحقيق |
 |
DSB1A40 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
DSB20I15PA | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 15V 20A TO220AC | تحقيق |
|
DSB1A100 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL | تحقيق |
|
DSB1A20 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL | تحقيق |
|
DSB1A30 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL | تحقيق |
|
DSB2I60SB | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMB | تحقيق |
|
DSB20C60PN | IXYS Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FP | تحقيق |
|
DSB2810 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35 | تحقيق |
|
DSB15IM45IB | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO262 | تحقيق |
|
DSB1A80 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO204AL | تحقيق |
|
DSB0.5A20 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA DO35 | تحقيق |
|
DSB0.5A30 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA DO35 | تحقيق |
|
DSB2I40SB | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB | تحقيق |
|
DSB0.5A40 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 500MA DO35 | تحقيق |
|
DSB1A60 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL | تحقيق |
|
DSB1A50 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL | تحقيق |
|
DSB1I40SA | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA | تحقيق |
|
DSB1I60SA | IXYS Corporation | DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة