DS3905U-020+T&R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS3905U-020+T&R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS3905U-020+T&R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS3905U-020+T&R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS3905U-020+T&R
- رقم القطعة:
- DS3905U-020+T&R
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC POT NV TRIPLE 128POS 10-USOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 53705 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS3905U-020+T&R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| تسامح: | - |
| معامل درجة الحرارة (تيب): | 123 ppm/°C |
| تفتق: | Linear |
| تجار الأجهزة حزمة: | 10-uMAX |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - ممسحة (أوم) (نوع): | - |
| المقاومة (أوم): | 20k |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد الصنابير: | 128 |
| عدد الدوائر: | 3 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | I²C |
| الميزات: | Selectable Address |
| وصف تفصيلي: | Digital Potentiometer 20k Ohm 3 Circuit 128 Taps I²C Interface 10-uMAX |
| ترتيب: | Rheostat |
| رقم جزء القاعدة: | DS3905 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS3905U-020+T&R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS3903E-020/W | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 20-TSSOP | تحقيق |
 |
DS3920T-002+T | Maxim Integrated | IC CURRENT MIRROR 5:1 SOT23-6 | تحقيق |
|
DS3903E-020/T&R | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 20-TSSOP | تحقيق |
 |
DS3911T+T | Maxim Integrated | IC DAC 10BIT I2C QUAD 14TDFN | تحقيق |
 |
DS3904U-020+ | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 8-USOP | تحقيق |
 |
DS3908N-001+ | Maxim Integrated | IC POT DUAL DIGITAL 14-TDFN | تحقيق |
|
DS3920T-001+T | Maxim Integrated | IC CURRENT MIRROR 5:1 SOT23-6 | تحقيق |
|
DS3920T-002+ | Maxim Integrated | IC CURRENT MIRROR 5:1 SOT23-6 | تحقيق |
|
DS3903E-020+T&R | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 20-TSSOP | تحقيق |
|
DS3903E-020+ | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 20-TSSOP | تحقيق |
|
DS3904U-020+T&R | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 8-USOP | تحقيق |
 |
DS3905U-020 | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 10-USOP | تحقيق |
|
DS3904U-010+ | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 8-USOP | تحقيق |
|
DS3904U-010+T&R | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 8-USOP | تحقيق |
|
DS3903E | Maxim Integrated | IC POT NV TRIPLE 128POS 20-TSSOP | تحقيق |
|
DS3906U+T&R | Maxim Integrated | IC RESIST VAR TRPL 10USOP | تحقيق |
|
DS3906U+ | Maxim Integrated | IC RESIST VAR TRPL 10USOP | تحقيق |
|
DS3911T+ | Maxim Integrated | IC DAC 10BIT I2C QUAD 14TDFN | تحقيق |
|
DS3920T-001+ | Maxim Integrated | IC CURRENT MIRROR 5:1 SOT23-6 | تحقيق |
|
DS3908N+T&R | Maxim Integrated | IC POT DUAL DIGITAL 14-TDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل