DS1856B-020+T&R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS1856B-020+T&R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS1856B-020+T&R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS1856B-020+T&R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS1856B-020+T&R
- رقم القطعة:
- DS1856B-020+T&R
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC DGTL POT 20K 2CH 16BGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 57347 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS1856B-020+T&R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 2.85 V ~ 5.5 V |
| تسامح: | ±25% |
| معامل درجة الحرارة (تيب): | 50 ppm/°C |
| تفتق: | Linear |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-CSBGA (4x4) |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - ممسحة (أوم) (نوع): | - |
| المقاومة (أوم): | 20k |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-LBGA, CSPBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 95°C |
| عدد الصنابير: | 256 |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| الصانع المهلة القياسية: | 17 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | I²C |
| الميزات: | Temperature Sensor |
| وصف تفصيلي: | Digital Potentiometer 20k Ohm 2 Circuit 256 Taps I²C Interface 16-CSBGA (4x4) |
| ترتيب: | Rheostat |
| رقم جزء القاعدة: | DS1856 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS1856B-020+T&R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1855E-050+ | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/50K 14TSSOP | تحقيق |
 |
DS1856B-M50 | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1855E-010 | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP | تحقيق |
|
DS1856B-M50+ | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1856B-M50/T&R | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1856B-050+T&R | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1856B-030+T&R | Maxim Integrated | IC DGTL POT 10/30K 2CH 16BGA | تحقيق |
 |
DS1855X-050#T&R | Maxim Integrated | IC DUAL NV DGTL POT/MEM 14-FCP | تحقيق |
|
DS1856B-050+ | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1855E-C01+T&R | Maxim Integrated | IC DUAL NV DGTL POT/MEM 14-TSSOP | تحقيق |
|
DS1855E-010/T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP | تحقيق |
|
DS1856B-030+ | Maxim Integrated | IC DGTL POT 10/30K 2CH 16BGA | تحقيق |
|
DS1856B-020+ | Maxim Integrated | IC DGTL POT 20K 2CH 16BGA | تحقيق |
|
DS1855E-050+T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/50K 14TSSOP | تحقيق |
|
DS1856B-050/T&R | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1855E-050/T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/50K 14TSSOP | تحقيق |
|
DS1856E-020+ | Maxim Integrated | IC DGTL POT 20K 2CH 16TSSOP | تحقيق |
|
DS1856B-M50+T&R | Maxim Integrated | IC DGTL POT 50K 2CH 16CSBGA | تحقيق |
|
DS1855E-010+ | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP | تحقيق |
|
DS1855E-010+T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل