DS1847E-010+ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS1847E-010+، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS1847E-010+ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS1847E-010+ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS1847E-010+
- رقم القطعة:
- DS1847E-010+
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25482 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS1847E-010+.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 5.5 V |
| تسامح: | ±20% |
| معامل درجة الحرارة (تيب): | 850 ppm/°C |
| تفتق: | Linear |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-TSSOP |
| سلسلة: | - |
| المقاومة - ممسحة (أوم) (نوع): | - |
| المقاومة (أوم): | 10k |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 95°C |
| عدد الصنابير: | 256 |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | I²C |
| الميزات: | Selectable Address, Temperature Sensor |
| وصف تفصيلي: | Digital Potentiometer 10k Ohm 2 Circuit 256 Taps I²C Interface 14-TSSOP |
| ترتيب: | Rheostat |
| رقم جزء القاعدة: | DS1847 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS1847E-010+
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1847E-010/T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP | تحقيق |
 |
DS1848B-050/T&R | Maxim Integrated | IC RES/MEM TEMP 50/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847E-010+T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 14TSSOP | تحقيق |
|
DS1848B-010+T&R | Maxim Integrated | IC RES/MEM TEMP 10/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847E-010 | Maxim Integrated | DIGITAL POTENTIOMETER ICS DUAL T | تحقيق |
|
DS1848B-010+ | Maxim Integrated | IC RES/MEM TEMP 10/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847B-050+T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 50/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847E-050+T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 50/10K 16TSSOP | تحقيق |
 |
DS1845X-050/T&R | Maxim Integrated | IC POT/MEM DUAL NV 50K 14-FCP | تحقيق |
|
DS1845X-010/T&R | Maxim Integrated | IC POT/MEM DUAL NV 10K 14-FCP | تحقيق |
|
DS1847B-010+T&R | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847B-050+ | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 50/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1848B-050+ | Maxim Integrated | IC RES/MEM TEMP 50/10K 16-BGA | تحقيق |
 |
DS1846E-010+ | Maxim Integrated | IC NV TRI-POT MEM MON 20TSSOP | تحقيق |
|
DS1848B-050+T&R | Maxim Integrated | IC RES/MEM TEMP 50/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847B-010+ | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 10/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1847E-050+ | Maxim Integrated | IC RES TEMP-CNTRL 50/10K 16TSSOP | تحقيق |
|
DS1845E-100/T&R | Maxim Integrated | IC POT/MEM DUAL NV 100K 14-TSSOP | تحقيق |
|
DS1848B-010/T&R | Maxim Integrated | IC RES/MEM TEMP 10/10K 16-BGA | تحقيق |
|
DS1845X-100/T&R | Maxim Integrated | IC POT/MEM DUAL NV 100K 14-FCP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل