DS1672-33+ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS1672-33+، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS1672-33+ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS1672-33+ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS1672-33+
- رقم القطعة:
- DS1672-33+
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC RTC BINARY CNT I2C 8-DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 56585 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS1672-33+.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد والبطارية: | 1.3 V ~ 3.63 V |
| الجهد - توريد: | 2.97 V ~ 3.63 V |
| اكتب: | Binary Counter |
| تنسيق الوقت: | Binary |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-PDIP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | DS167233 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حجم الذاكرة: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | I²C, 2-Wire Serial |
| الميزات: | Trickle-Charger |
| وصف تفصيلي: | Real Time Clock (RTC) IC Binary Counter I²C, 2-Wire Serial 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| صيغة التاريخ: | Binary |
| الحالي - ضبط الوقت (ماكس): | 500µA @ 3.63V |
| رقم جزء القاعدة: | DS1672 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS1672-33+
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1672S-3 | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1672S-33/T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1672S-3+ | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1672-33 | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-DIP | تحقيق |
|
DS1670S | Maxim Integrated | IC RTC SYSTEM CTRLR SER 20-SOIC | تحقيق |
|
DS1672S-33+T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
 |
DS1670E+ | Maxim Integrated | IC RTC SYSTEM CTRLR SER 20-TSSOP | تحقيق |
|
DS1672-2+ | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-DIP | تحقيق |
|
DS1672S-2 | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1670S+ | Maxim Integrated | IC RTC SYSTEM CTRLR SER 20-SOIC | تحقيق |
|
DS1672S-33+ | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1670E+T&R | Maxim Integrated | IC RTC SYSTEM CTRLR SER 20-TSSOP | تحقيق |
|
DS1672S-2+ | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1672-3 | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-DIP | تحقيق |
|
DS1672-2 | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-DIP | تحقيق |
|
DS1670E/T&R | Maxim Integrated | IC RTC SYSTEM CTRLR SER 20-TSSOP | تحقيق |
|
DS1672-3+ | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-DIP | تحقيق |
|
DS1672S-3+T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1672S-33 | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
|
DS1672S-3/T&R | Maxim Integrated | IC RTC BINARY CNT I2C 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل