DS1245Y-120IND+ متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS1245Y-120IND+، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS1245Y-120IND+ عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS1245Y-120IND+ مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS1245Y-120IND+
- رقم القطعة:
- DS1245Y-120IND+
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20686 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS1245Y-120IND+.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 120ns |
| الجهد - توريد: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| تكنولوجيا: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 32-EDIP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| اسماء اخرى: | DS1245Y120IND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 1Mb (128K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | NVSRAM |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 120ns 32-EDIP |
| رقم جزء القاعدة: | DS1245Y |
| وقت الدخول: | 120ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS1245Y-120IND+
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1245YL-70IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM | تحقيق |
 |
DS1245Y-120IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245Y-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245X-70IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE | تحقيق |
|
DS1245YL-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM | تحقيق |
|
DS1245Y-120 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245Y-70IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245XP-70IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE | تحقيق |
|
DS1245Y-70 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245Y-100+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245Y-120+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245XP-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE | تحقيق |
|
DS1245Y-85+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245Y-85 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
 |
DS1245YP-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP | تحقيق |
|
DS1245YL-70 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM | تحقيق |
|
DS1245WP-150+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP | تحقيق |
|
DS1245Y-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
|
DS1245X-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE | تحقيق |
|
DS1245Y-70IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل