DS1225AB-150 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS1225AB-150، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS1225AB-150 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS1225AB-150 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS1225AB-150
- رقم القطعة:
- DS1225AB-150
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 34217 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS1225AB-150.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 150ns |
| الجهد - توريد: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| تكنولوجيا: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 28-EDIP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| اسماء اخرى: | DS1225AB150 |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة: | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة: | 64Kb (8K x 8) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | NVSRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 150ns 28-EDIP |
| رقم جزء القاعدة: | DS1225A |
| وقت الدخول: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS1225AB-150
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AB-150IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
 |
DS1222+ | Maxim Integrated | IC BANKSWITCH CMOS 14-DIP | تحقيق |
 |
DS1225AB-200IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1222N | Maxim Integrated | IC BANKSWITCH CMOS IND 14-DIP | تحقيق |
|
DS1225AB-200 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
 |
DS1221SN | Maxim Integrated | IC CTRLR/DECODER 4BIT IN 16-SOIC | تحقيق |
 |
DS1220Y-200IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP | تحقيق |
|
DS1222S+ | Maxim Integrated | IC BANKSWITCH CMOS 16-SOIC | تحقيق |
|
DS1225AB-200IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1221 | Maxim Integrated | IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-DIP | تحقيق |
|
DS1222 | Maxim Integrated | IC BANKSWITCH CMOS 14-DIP | تحقيق |
|
DS1225AB-70 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1225AB-170+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1225AB-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1225AB-150IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1222S | Maxim Integrated | IC BANKSWITCH CMOS 16-SOIC | تحقيق |
|
DS1221S | Maxim Integrated | IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC | تحقيق |
|
DS1220Y-200+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP | تحقيق |
|
DS1225AB-200+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
|
DS1225AB-150+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM