DS1-12D متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DS1-12D، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DS1-12D عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DS1-12D مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DS1-12D
- رقم القطعة:
- DS1-12D
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44312 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DS1-12D.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | Standard |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.3A |
| الجهد - انهيار: | - |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Bulk |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| المقاومة @ إذا، F: | - |
| الاستقطاب: | Radial |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DS1-12D |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 2.3A Through Hole |
| تكوين الصمام الثنائي: | 700µA @ 1200V |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 2.3A RADIAL |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 1.3V @ 7A |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 1200V (1.2kV) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | -40°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDS1-12D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DS1-48-0001 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 3.15A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-40-0004 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 6A 2LN TH | تحقيق |
 |
DS1-20-0002 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 1.4A 2LN TH | تحقيق |
 |
DS1-30-0003 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 3.15A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-40-0003 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 4A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-48-0002 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 4A 2LN TH | تحقيق |
 |
DS1004Z-2 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 13NS 8SOIC | تحقيق |
 |
DS1-175-0005 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 3A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-175-0002 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 630MA 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-30-0004 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 4A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-175-0004 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 1.4A 2LN TH | تحقيق |
 |
DS1-25-0002 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 2A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-25-0001 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 1.4A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-25-0003 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 3.15A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-175-0001 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 500MA 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-20-0003 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 3.15A 2LN TH | تحقيق |
|
DS1-20-0001 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 630MA 2LN TH | تحقيق |
|
DS1004Z-2+ | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 13NS 8SOIC | تحقيق |
|
DS1000M-500 | Maxim Integrated | IC DELAY LINE 5TAP 500NS 8DIP | تحقيق |
|
DS1-175-0003 | Schurter | COMMON MODE CHOKE 1A 2LN TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة