DRQ74-R33-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DRQ74-R33-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DRQ74-R33-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DRQ74-R33-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DRQ74-R33-R
- رقم القطعة:
- DRQ74-R33-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 294NH SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59962 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DRQ74-R33-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±20% |
| حجم / البعد: | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | DRQ |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 513-1259-2 DRQ74-R33 DRQ74-R33-ND DRQ74-R33-R-ND DRQ74-R33R |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من لفائف: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الحث - في سلسلة متصلة: | 1.176µH |
| الحث - متصلة على التوازي: | 294nH |
| ارتفاع: | 0.175" (4.45mm) |
| وصف تفصيلي: | Shielded 2 Coil Inductor Array 1.176µH Inductance - Connected in Series 294nH Inductance - Connected in Parallel 7.4 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 6.2A Nonstandard |
| دس المقاومة (دكر) - السلسلة: | 29.5 mOhm |
| دس المقاومة (دكر) - موازية: | 7.4 mOhm |
| التشبع الحالي - السلسلة: | 9.18A |
| التشبع الحالي - موازية: | 18.4A |
| التقييم الحالي - السلسلة: | 3.1A |
| التقييم الحالي - موازية: | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDRQ74-R33-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DRQ74-1R0-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 952NH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-680-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 69.67UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-681-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 671.2UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-220-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 21.73UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-221-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 227UH SMD | تحقيق |
 |
DRQ74-470-TRW | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 49.64UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-471-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 465.3UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-470-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 49.64UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-820-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 80.95UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-6R8-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 7.344UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-3R3-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 3.396UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-821-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 812.7UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-4R7-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 5.182UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-330-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 33.01UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-151-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 150UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-2R2-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 1.986UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-331-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 335.6UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-8R2-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 8.566UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-1R5-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 1.422UH SMD | تحقيق |
|
DRQ74-150-R | Bussmann (Eaton) | INDUCT ARRAY 2 COIL 16.09UH SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل