DR74-681-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DR74-681-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DR74-681-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DR74-681-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DR74-681-R
- رقم القطعة:
- DR74-681-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- FIXED IND 680UH 330MA 2.58 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25547 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DR74-681-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | DR |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 283-4070-1 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 680µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.171" (4.35mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 680µH Shielded Wirewound Inductor 330mA 2.58 Ohm Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 2.58 Ohm |
| التصويت الحالي: | 330mA |
| الحالي - التشبع: | 380mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDR74-681-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DR74-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 910MA 345 MOHM | تحقيق |
|
DR74-1R5-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1.5UH 4.94A 11.8 MOHM | تحقيق |
|
DR74-4R7-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 4.7UH 3.34A 25.4 MOHM | تحقيق |
|
DR74-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 1.15A 216 MOHM | تحقيق |
|
DR74-3R3-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.3UH 3.94A 18.3 MOHM | تحقيق |
|
DR74-151-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 150UH 690MA 591 MOHM | تحقيق |
 |
DR74-470-TRW | Bussmann (Eaton) | IND,SHLD DRM,47UH 1.41APK | تحقيق |
|
DR74-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 1.03A 265 MOHM | تحقيق |
|
DR74-1R0-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 1UH 5.39A 9.9 MOHM SMD | تحقيق |
|
DR74-2R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 2.2UH 4.76A 12.6 MOHM | تحقيق |
|
DR74-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 2.6A 41.8 MOHM | تحقيق |
|
DR74-331-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330UH 450MA 1.41 OHM | تحقيق |
|
DR74-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 310MA 2.93 OHM | تحقيق |
|
DR74-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 2.53A 44.1 MOHM | تحقيق |
|
DR74-R33-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330NH 6.26A 7.4 MOHM | تحقيق |
 |
DR754-TP | Micro Commercial Components (MCC) | DIODE GEN PURP 400V 6A R-6 | تحقيق |
|
DR74-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 400MA 1.74 OHM | تحقيق |
|
DR74-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 1.41A 143 MOHM | تحقيق |
|
DR74-221-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 220UH 560MA 907 MOHM | تحقيق |
|
DR74-220-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 22UH 1.75A 92.5 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS