DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE
- رقم القطعة:
- DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE
- الصانع:
- ams
- وصف:
- DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT
- كمية المخزون:
- 24608 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| سلسلة: | * |
| اسماء اخرى: | 301030005 DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE-ND DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFCFTSE |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| وصف تفصيلي: | Image Sensor |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT SE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DR2X4K7_INVAR_B&W_V5 | ams | DR2X4K7_INVAR_B&W_V5 UT | تحقيق |
|
DR2X4K7_INVAR_RGB_V5 | ams | DR2X4K7_INVAR_RGB_V5 FT SE | تحقيق |
 |
DR24E06X | Crydom | SSR RELAY SPST-NO 6A 24-280V | تحقيق |
|
DR2X2K7_INVAR_B&W_V5 | ams | DR2X2K7_INVAR_B&W_V5 FT SE | تحقيق |
|
DR27120 | Crydom | SSR RELAY SPST-NO 45A 48-660V | تحقيق |
|
DR2X8K7_INVAR_B&W | ams | DR2X8K7_INVAR_B&W_V4 FT SE | تحقيق |
|
DR24E12X | Crydom | SSR RELAY SPST-NO 12A 24-280V | تحقيق |
|
DR2X2K7_LCC_RGB_CERAMIC_V1.0 | ams | DR2X2K7_LCC_RGB_CERAMIC_V1.0 FT | تحقيق |
|
DR2X8K7_B&W_V4 | ams | DR2X8K7_INVAR_B&W_V4 FT SE | تحقيق |
 |
DR2X8K7_INVAR_B&W_V4 | ams | DR2X8K7_INVAR_B&W_V4 FT SE | تحقيق |
|
DR2X8K7_INVAR_RGB | ams | DR2X8K7_INVAR_RGB_V4 FT SE | تحقيق |
 |
DR24E12 | Crydom | SSR RELAY SPST-NO 12A 24-280V | تحقيق |
|
DR2K7_LCC_B&W_BM_CERAMIC_V1.0 | ams | DR2K7_LCC_B&W_BM_CERAMIC_V1.0 FT | تحقيق |
|
DR2X8K7_INVAR_RB_V4 | ams | DR2X8K7_INVAR_RB_V4 FT SE | تحقيق |
|
DR2X8K7_INVAR_RGB_V4 | ams | DR2X8K7_INVAR_RGB_V4 FT SE | تحقيق |
|
DR2X2K7_INVAR_RGB_V5 | ams | DR2X2K7_INVAR_RGB_V5 FT SE | تحقيق |
|
DR2X4K7_INVAR_B&W_V5_NOVREFC FT | ams | DR2X4K7_INVAR_B&W_V5 UT | تحقيق |
|
DR27121 | Crydom | SSR RELAY SPST-NO 45A 48-660V | تحقيق |
|
DR2K7_INVAR_B&W_BM_V5 | ams | DR2K7_INVAR_B&W_BM_V5 FT SE | تحقيق |
|
DR2X2K7_LCC_B&W_CERAMIC_V1.0 | ams | SENSOR B & W CERAMIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل