DR1050-4R7-R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DR1050-4R7-R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DR1050-4R7-R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DR1050-4R7-R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DR1050-4R7-R
- رقم القطعة:
- DR1050-4R7-R
- الصانع:
- Bussmann (Eaton)
- وصف:
- FIXED IND 4.7UH 6.13A 11.9 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 31621 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DR1050-4R7-R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±30% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | DR1050 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 513-1413-2 DR10504R7R |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 4.7µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.197" (5.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 6.13A 11.9 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 11.9 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 6.13A |
| الحالي - التشبع: | 6.7A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDR1050-4R7-R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DR1050-820-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 82UH 1.6A 184 MOHM SMD | تحقيق |
|
DR1050-271-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 270UH 960MA 513 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-2R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 2.2UH 7.52A 6.8 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-3R3-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 3.3UH 6.5A 10 MOHM SMD | تحقيق |
|
DR1050-390-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 39UH 2.35A 75.9 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-331-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 330UH 830MA 693 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-560-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 56UH 1.96A 123 MOHM | تحقيق |
 |
DR10D03 | Crydom | SSR RELAY SPST-NO 3A 1-100V | تحقيق |
|
DR1050-471-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 470UH 640MA 1.069 OHM | تحقيق |
 |
DR1050-470-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 47UH 2.06A 111 MOHM | تحقيق |
|
DR1050-681-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 680UH 560MA 1.369 OHM | تحقيق |
|
DR1050-6R8-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 6.8UH 5.45A 16.5 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-391-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 390UH 760MA 810 MOHM | تحقيق |
|
DR1050-270-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 27UH 2.82A 53.3 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-8R2-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 8.2UH 5.24A 19 MOHM | تحقيق |
|
DR1050-561-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 560UH 620MA 1.213 OHM | تحقيق |
|
DR1050-821-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 820UH 540MA 1.481 OHM | تحقيق |
 |
DR1050-680-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 68UH 1.84A 139 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-330-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 33UH 2.56A 71.9 MOHM | تحقيق |
 |
DR1050-R80-R | Bussmann (Eaton) | FIXED IND 800NH 9.7A 4 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة