DMN2011UFDF-7
DMN2011UFDF-7
رقم القطعة:
DMN2011UFDF-7
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
42329 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
DMN2011UFDF-7.pdf

المقدمة

DMN2011UFDF-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMN2011UFDF-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMN2011UFDF-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMN2011UFDF-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:U-DFN2020-6 (Type F)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):2.1W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-UDFN Exposed Pad
اسماء اخرى:DMN2011UFDF-7-ND
DMN2011UFDF-7DITR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2248pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:56nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف تفصيلي:N-Channel 20V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:14.2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار