DMN2005DLP4K-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMN2005DLP4K-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMN2005DLP4K-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMN2005DLP4K-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DMN2005DLP4K-7
- رقم القطعة:
- DMN2005DLP4K-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41283 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DMN2005DLP4K-7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 900mV @ 100µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | X2-DFN1310-6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 10mA, 4V |
| السلطة - ماكس: | 400mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 6-SMD, No Lead |
| اسماء اخرى: | DMN2005DLP4KDICT |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 400mW Surface Mount X2-DFN1310-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 300mA |
| رقم جزء القاعدة: | DMN2005DLP4K |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN2005DLP4K-7
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل