DMG3401LSN-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMG3401LSN-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMG3401LSN-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMG3401LSN-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DMG3401LSN-7
- رقم القطعة:
- DMG3401LSN-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 3A SC59
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33180 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DMG3401LSN-7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.3V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-59 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 50 mOhm @ 4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 800mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | DMG3401LSN-7DITR DMG3401LSN7 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1326pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25.1nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف تفصيلي: | P-Channel 30V 3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG3401LSN-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG302PU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG3404L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 | تحقيق |
 |
DMG264120R | Panasonic | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 | تحقيق |
 |
DMG3414UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | تحقيق |
|
DMG264060R | Panasonic | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 | تحقيق |
|
DMG264050R | Panasonic | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 | تحقيق |
|
DMG302PU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG3404L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23 | تحقيق |
 |
DMG3407SSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4A SC59 | تحقيق |
|
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG3413L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | تحقيق |
|
DMG264H00R | Panasonic | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 | تحقيق |
|
DMG264040R | Panasonic | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6 | تحقيق |
|
DMG302PU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG301NU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23 | تحقيق |
|
DMG3406L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 | تحقيق |
|
DMG3414UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل