DMC2990UDJ-7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DMC2990UDJ-7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DMC2990UDJ-7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DMC2990UDJ-7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DMC2990UDJ-7
- رقم القطعة:
- DMC2990UDJ-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT963
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 34247 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- DMC2990UDJ-7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-963 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 990 mOhm @ 100mA, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 350mW |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | SOT-963 |
| اسماء اخرى: | DMC2990UDJ-7DIDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 32 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 27.6pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 450mA, 310mA 350mW Surface Mount SOT-963 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 450mA, 310mA |
| رقم جزء القاعدة: | DMC2990 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMC2990UDJ-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | تحقيق |
 |
DMC3016LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | تحقيق |
 |
DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT26 | تحقيق |
|
DMC3018LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMC266060R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC3016LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | تحقيق |
|
DMC266010R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC266050R | Panasonic | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI6 | تحقيق |
|
DMC3021LK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L | تحقيق |
|
DMC3016LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO | تحقيق |
|
DMC264060R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC266030R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC3016LNS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | تحقيق |
|
DMC3016LNS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333 | تحقيق |
|
DMC2640L0R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC266040R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC2640F0R | Panasonic | TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | تحقيق |
|
DMC2990UDJQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 | تحقيق |
|
DMC2700UDMQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V24V SOT26 T&R 3 | تحقيق |
|
DMC2990UDJQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل