DLP2ADN670HL4L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DLP2ADN670HL4L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DLP2ADN670HL4L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DLP2ADN670HL4L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DLP2ADN670HL4L
- رقم القطعة:
- DLP2ADN670HL4L
- الصانع:
- Murata Electronics
- وصف:
- CMC 140MA 4LN 67 OHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59278 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.DLP2ADN670HL4L.pdf2.DLP2ADN670HL4L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | 5V |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| حجم / البعد: | 0.079" L x 0.039" W (2.00mm x 1.00mm) |
| سلسلة: | DLP2A |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0804 (2010 Metric), 8 Lead |
| اسماء اخرى: | 490-5153-2 DLP2ADN670HL4 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| عدد من خطوط: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مقاومة @ التردد: | 67 Ohms @ 100MHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.036" (0.92mm) |
| نوع فلتر: | Signal Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 4 Line Common Mode Choke Surface Mount 67 Ohms @ 100MHz 140mA DCR 1.63 Ohm |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 1.63 Ohm |
| بطاقة سمك (مم): | 140mA |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDLP2ADN670HL4L
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC